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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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75NF20-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 75NF20-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號:75NF20-VB  
封裝:TO263  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):200V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):3V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):38mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):45A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO263,適合中高功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和機械強度。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于高效的功率開關(guān)和控制電路設(shè)計。
- **耐壓(VDS):** 200V,能夠處理較高電壓范圍的電路需求。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的柵極驅(qū)動電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 3V,設(shè)定了啟動MOSFET導(dǎo)通的門電壓。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 38mΩ @ VGS=10V,在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動電壓下的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 45A,適合需要處理中等電流負(fù)載的應(yīng)用場合。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的開關(guān)速度和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器:** 75NF20-VB可用于DC-DC變換器和AC-DC電源轉(zhuǎn)換器中,特別是需要處理較高電壓和電流的轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
  
2. **電動車輛充電樁:** 在電動車輛充電樁中,這款MOSFET可以用于功率開關(guān)和電流控制電路,支持快速充電和高效能輸出。
  
3. **工業(yè)自動化設(shè)備:** 在工業(yè)機器人、自動化生產(chǎn)線和變頻調(diào)速器中,75NF20-VB能夠提供穩(wěn)定的功率輸出和可靠的電路控制,確保設(shè)備運行的穩(wěn)定性和效率。

75NF20-VB結(jié)合了高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢,適合各種需要高功率密度和可靠性的功率電子應(yīng)用場合。

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