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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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76137S-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 76137S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號(hào):76137S-VB  
封裝:TO263  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):30V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.7V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):98A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO263,適合中高功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。
 
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于高效的功率開關(guān)和控制電路設(shè)計(jì)。

- **耐壓(VDS):** 30V,能夠處理中低電壓范圍的電路需求。

- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。

- **閾值電壓(Vth):** 1.7V,設(shè)定了啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門電壓。

- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在不同的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,分別為2.7mΩ @ VGS=4.5V 和 2.4mΩ @ VGS=10V,表現(xiàn)出低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。

- **漏極電流(ID):** 98A,適合需要處理高電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)合。

- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的開關(guān)速度和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源管理系統(tǒng):** 76137S-VB可用于電源管理單元和電壓調(diào)節(jié)器中,確保穩(wěn)定的電壓輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。

2. **電池管理系統(tǒng):** 在電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車和便攜式設(shè)備中,這款MOSFET可以用于電池管理系統(tǒng),支持高效的充放電控制。

3. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心設(shè)備:** 在高性能計(jì)算機(jī)和服務(wù)器的電源模塊中,76137S-VB能夠提供可靠的功率開關(guān)和散熱管理,確保設(shè)備長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

76137S-VB結(jié)合了低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適合于需要高功率密度和可靠性的功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。

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