--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
MOSFET型號:76413P-VB
封裝:TO220
配置:單N溝道
耐壓(VDS):60V
柵極-源極電壓(VGS):±20V
閾值電壓(Vth):1.7V
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):28mΩ @ VGS=4.5V, 24mΩ @ VGS=10V
漏極電流(ID):50A
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:
- **封裝類型(Package):** TO220,適合中功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于各種功率開關(guān)和控制電路設(shè)計(jì)。
- **耐壓(VDS):** 60V,能夠處理中等電壓范圍的電路需求。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V,設(shè)定了啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通的門電壓。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在不同的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,分別為28mΩ @ VGS=4.5V 和 24mΩ @ VGS=10V,表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 50A,適合需要處理中等電流負(fù)載的應(yīng)用場合。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的開關(guān)速度和可靠性。
### 應(yīng)用示例:
1. **電源管理系統(tǒng):** 76413P-VB可用于電源管理單元、開關(guān)電源和電壓調(diào)節(jié)器中,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:** 在電動(dòng)工具、電動(dòng)車輛和工業(yè)機(jī)械中,該MOSFET可作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)元件,支持高效的電機(jī)控制和能量回饋。
3. **LED照明系統(tǒng):** 在LED驅(qū)動(dòng)器和照明控制電路中,76413P-VB能夠提供穩(wěn)定的電流和電壓調(diào)節(jié),確保LED燈具的長壽命和高效能。
76413P-VB結(jié)合了較低的導(dǎo)通電阻和中等功率承載能力,適用于需要中等功率密度和穩(wěn)定性能的各種功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛