--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**78N03-VB** 是一款單通道 N 型 MOSFET,由 VBsemi 提供。它采用 TO-252 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合于各種高性能電路應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO-252
- **配置**: 單通道 N 型
- **擊穿電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**78N03-VB** MOSFET 的特性使其非常適合以下領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用:
1. **電源管理模塊**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,特別是在低電壓條件下(如 VGS=4.5V),該 MOSFET 適用于功率轉(zhuǎn)換和電源管理模塊。它可以在較小的封裝空間內(nèi)提供高效的功率轉(zhuǎn)換,適合于便攜設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)。
2. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**: 在電動(dòng)汽車 (EV) 和電池供電設(shè)備的電池管理系統(tǒng)中,**78N03-VB** 可以用于控制和保護(hù)電池,管理電池的充電和放電過程。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的效率和安全性。
3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: 作為 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件,這款 MOSFET 可以在高頻率下工作,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。它的低導(dǎo)通電阻和高響應(yīng)速度使其成為需求高效能和小型化設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)器**: **78N03-VB** 可以在 LED 照明系統(tǒng)中作為電流調(diào)節(jié)器或開關(guān)元件使用。其能夠處理高電流和低電壓下的穩(wěn)定工作,確保 LED 燈具的穩(wěn)定亮度和長(zhǎng)壽命。
5. **電機(jī)控制**: 對(duì)于需要高效率電機(jī)控制的應(yīng)用,如無刷直流電機(jī) (BLDC) 驅(qū)動(dòng)器或步進(jìn)電機(jī)控制器,這款 MOSFET 提供了足夠的功率和性能,以確保電機(jī)運(yùn)行平穩(wěn)和高效。
綜上所述,**78N03-VB** 是一款適用廣泛、性能優(yōu)異的 MOSFET,特別適合需要高功率處理和高效能轉(zhuǎn)換的各種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛