--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
VBsemi 78N75F4-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該器件基于Trench技術(shù)設(shè)計,具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于各種要求高效能和可靠性的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|----------------------|-------------------|
| 封裝類型 | TO220 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 80V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 100A |
| 技術(shù) | Trench |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源供應(yīng)系統(tǒng)**:
- 78N75F4-VB 可以廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器和功率放大器等電源管理系統(tǒng)中。其低導(dǎo)通電阻和高電流容量使其能夠提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性,特別適用于需要高功率密度和低能耗的應(yīng)用。
2. **電動車輛**:
- 在電動汽車的電動機(jī)驅(qū)動器、電池管理系統(tǒng)和充電設(shè)備中,這款MOSFET可以用于逆變器、充電器和電動機(jī)控制模塊。其高電流承載能力和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性能夠支持電動車輛的高性能和長期可靠性要求。
3. **工業(yè)控制**:
- 該MOSFET適用于工業(yè)自動化設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動、邏輯控制器(PLC)和機(jī)器人控制系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用中,78N75F4-VB 可以幫助優(yōu)化能效,提升設(shè)備的響應(yīng)速度和運(yùn)行穩(wěn)定性,適應(yīng)高負(fù)載和多變環(huán)境的需求。
4. **通信設(shè)備**:
- 在通信基站的功率放大器和電源管理單元中,該器件能夠提供穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換和高效的能量傳輸。它的高速開關(guān)特性和低損耗設(shè)計有助于減少熱量生成和系統(tǒng)能耗,提高通信設(shè)備的整體效率。
通過以上示例,可以看出 VBsemi 78N75F4-VB 在多個領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力,為高性能電源管理和電動控制系統(tǒng)提供可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12