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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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79E980-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 79E980-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT669
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、79E980-VB 產(chǎn)品簡介

79E980-VB 是一款由 VBsemi 公司推出的高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 SOT669 封裝。該 MOSFET 具有 80V 的漏源極電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極電壓 (VGS),柵極閾值電壓 (Vth) 為 1.4V。其具備兩種導(dǎo)通電阻情況:在 VGS = 4.5V 時(shí)為 7.2 毫歐姆 (mΩ),在 VGS = 10V 時(shí)為 6 毫歐姆 (mΩ),連續(xù)漏極電流 (ID) 可達(dá) 90A。采用 Trench 技術(shù)制造,能夠提供優(yōu)異的導(dǎo)通特性和穩(wěn)定性。

### 二、79E980-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型 (Package)**: SOT669
- **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道 (Single N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 80V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.4V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 7.2mΩ @ VGS = 4.5V
 - 6mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 90A
- **技術(shù) (Technology)**: Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

79E980-VB MOSFET 由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電動(dòng)汽車 (EV) 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,79E980-VB 可以作為電機(jī)控制的主要功率開關(guān)器件,能夠承受高電流和高電壓,并具備較低的導(dǎo)通電阻,有助于提高整車的功率轉(zhuǎn)換效率和驅(qū)動(dòng)性能。

2. **電源模塊**:在高性能電源模塊中,79E980-VB 可以用作開關(guān)電源的主要開關(guān)器件,其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力能夠確保電源模塊在高效率和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)優(yōu)異。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:適用于各種工業(yè)控制設(shè)備和系統(tǒng)中的功率開關(guān)需求,如工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)械設(shè)備控制等,79E980-VB 能夠提供可靠的功率開關(guān)解決方案,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量管理。

4. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,作為 DC 到 AC 轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件,79E980-VB 可以減少能量轉(zhuǎn)換過程中的損耗,提高系統(tǒng)的總體能效和性能。

5. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:例如筆記本電腦、服務(wù)器等高性能電子設(shè)備的電源管理模塊中,該型號(hào)的 MOSFET 可以應(yīng)用于電源開關(guān)和功率分配控制,以確保設(shè)備的高效運(yùn)行和散熱管理。

綜上所述,79E980-VB 是一款適用廣泛的高性能 MOSFET,特別適合需要高功率處理和低能量損耗的應(yīng)用場合,能為各類電子系統(tǒng)和設(shè)備提供可靠的功率控制解決方案。

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