91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

7N52DK3-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 7N52DK3-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、7N52DK3-VB TO252型號(hào)的產(chǎn)品簡介

7N52DK3-VB是一款高壓單N溝道功率MOSFET,適用于需要高電壓和中等電流處理能力的應(yīng)用。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,封裝在TO252(DPAK)外殼中,具有良好的熱性能和機(jī)械強(qiáng)度。

### 二、7N52DK3-VB TO252型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252(DPAK)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:5A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

7N52DK3-VB TO252 MOSFET適用于多種高壓應(yīng)用,以下是幾個(gè)具體的應(yīng)用示例:

1. **電源開關(guān)**:在高壓開關(guān)電源系統(tǒng)中,如電力供應(yīng)和變流器,7N52DK3-VB能夠承受高達(dá)650V的漏源電壓,并且具有適中的導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的開關(guān)特性,適合于穩(wěn)定和高效的能量轉(zhuǎn)換。

2. **工業(yè)驅(qū)動(dòng)**:用于工業(yè)設(shè)備的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)控制,如工業(yè)自動(dòng)化中的高壓電動(dòng)執(zhí)行器、工業(yè)電磁閥和電動(dòng)泵控制。其能夠提供可靠的開關(guān)操作和耐高壓的特性,適應(yīng)工業(yè)環(huán)境的嚴(yán)苛要求。

3. **電動(dòng)車充電器**:在電動(dòng)車充電器中,7N52DK3-VB可以用作開關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和快速充電功能。其高電壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻使其成為充電器電路的理想選擇。

4. **UPS系統(tǒng)**:在不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,該MOSFET用于穩(wěn)定電力輸出并提供備用電源,以確保在電網(wǎng)電壓波動(dòng)或斷電時(shí)設(shè)備的持續(xù)供電。

5. **太陽能逆變器**:在太陽能電池系統(tǒng)中,7N52DK3-VB可以作為逆變器中的開關(guān)元件,幫助將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能,并連接到電網(wǎng)或電池系統(tǒng)中。

綜上所述,7N52DK3-VB TO252 MOSFET由于其高壓承受能力和穩(wěn)定的性能特性,在多個(gè)高壓應(yīng)用領(lǐng)域中都能夠發(fā)揮重要作用,是一種高效能和可靠性的功率開關(guān)器件。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    551瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量