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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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7N60H-VB TO263一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 7N60H-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、7N60H-VB TO263型號的產(chǎn)品簡介

7N60H-VB是一款高壓單N溝道功率MOSFET,適用于需要高電壓和較高電流處理能力的應(yīng)用。它采用Plannar技術(shù)制造,封裝在TO263外殼中,具有良好的熱性能和可靠的電性能。

### 二、7N60H-VB TO263型號的詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO263
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

7N60H-VB TO263 MOSFET適用于多種高壓高功率應(yīng)用,以下是幾個具體的應(yīng)用示例:

1. **電源開關(guān)**:在高壓開關(guān)電源系統(tǒng)中,如電力供應(yīng)和工業(yè)變流器,7N60H-VB能夠承受高達(dá)650V的漏源電壓,并具有較高的導(dǎo)通電流能力和穩(wěn)定的開關(guān)特性,適合于穩(wěn)定和高效的能量轉(zhuǎn)換。

2. **電動車充電器**:在電動車快速充電器中,該MOSFET可以作為關(guān)鍵的開關(guān)元件,幫助實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和快速充電功能。其高電壓承受能力和較低的導(dǎo)通電阻使其成為充電器電路的理想選擇。

3. **工業(yè)驅(qū)動**:用于驅(qū)動工業(yè)設(shè)備中的大功率負(fù)載,如電動機(jī)驅(qū)動器、電磁閥和電動泵控制。其高電流處理能力和穩(wěn)定的性能特性確保了在工業(yè)環(huán)境中長時間穩(wěn)定運行。

4. **太陽能逆變器**:在太陽能電池系統(tǒng)中,7N60H-VB可用作逆變器中的關(guān)鍵組成部分,幫助將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能,并連接到電網(wǎng)或電池系統(tǒng)中,以實現(xiàn)可再生能源的有效利用。

5. **電力傳輸和分配**:在電力傳輸和分配系統(tǒng)中,特別是需要高電壓和高效能轉(zhuǎn)換的場合,如變壓器和開關(guān)設(shè)備,7N60H-VB提供了可靠的電力控制和保護(hù)功能。

綜上所述,7N60H-VB TO263 MOSFET由于其高壓承受能力和穩(wěn)定的性能特性,在多個高功率應(yīng)用領(lǐng)域中都能夠發(fā)揮重要作用,是一種高效能和可靠性的功率開關(guān)器件。

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