--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
VBsemi 7N60L-TF2-T-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計用于高壓和高性能電源管理和開關(guān)電路應(yīng)用。具有優(yōu)異的耐壓特性和低導(dǎo)通電阻,適合在需要高效能和可靠性的電子設(shè)備和系統(tǒng)中使用。
### 二、詳細參數(shù)說明
- **型號**: 7N60L-TF2-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: 30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Planar

### 三、適用領(lǐng)域和模塊
1. **電源轉(zhuǎn)換器**
7N60L-TF2-T-VB 適用于各種電源轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源應(yīng)用。其高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠有效控制高壓和大電流,提高電源系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
2. **電動車充電器**
在電動車充電器中,該MOSFET可以用作關(guān)鍵的開關(guān)元件,用于電池充電控制電路。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了充電過程的高效率和電池的安全性。
3. **工業(yè)電機驅(qū)動器**
在工業(yè)電機驅(qū)動器中,7N60L-TF2-T-VB 可以用于電機控制和速度調(diào)節(jié)。其能夠處理高電壓和大電流的要求,保證了工業(yè)設(shè)備的高性能和長期穩(wěn)定運行。
4. **UPS系統(tǒng)**
對于不間斷電源系統(tǒng)(UPS),該器件可以用于穩(wěn)定電源輸出和保護關(guān)鍵設(shè)備。其高功率處理能力和可靠性確保了電力供應(yīng)的連續(xù)性和穩(wěn)定性。
綜上所述,VBsemi 7N60L-TF2-T-VB 是一款性能卓越的單N溝道MOSFET,適用于各種高壓和高電流應(yīng)用,包括電源管理、電動車充電器、工業(yè)電機驅(qū)動器和UPS系統(tǒng)等領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12