--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
VBsemi 7NA40-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該器件通過Plannar技術(shù)設(shè)計,具有穩(wěn)定的性能和高耐壓能力,適用于需要高效能和可靠性的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|----------------------|---------------------|
| 封裝類型 | TO220 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 600V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 1070mΩ @ VGS=4.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 780mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 8A |
| 技術(shù) | Plannar |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源逆變器**:
- 7NA40-VB 可以應(yīng)用于電源逆變器和交流電源供應(yīng)系統(tǒng),如UPS(不間斷電源)、太陽能逆變器和電動汽車充電設(shè)備。其高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻有助于提升能源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)可靠性。
2. **工業(yè)電力控制**:
- 在工業(yè)電力控制設(shè)備中,例如電機驅(qū)動器、變頻器和高壓開關(guān)電源,這款MOSFET可以用于提高設(shè)備的能效和穩(wěn)定性。其能夠承受高電壓和大電流,適合于工業(yè)環(huán)境中對可靠性和耐久性要求高的應(yīng)用。
3. **電動車輛**:
- 在電動車輛的電池管理系統(tǒng)、電動機驅(qū)動器和充電設(shè)備中,7NA40-VB 可以作為關(guān)鍵組件,用于電能轉(zhuǎn)換和功率控制。其高效能和高耐壓特性能夠支持電動車輛的高性能和長期穩(wěn)定運行。
4. **家用電器**:
- 在家用電器如空調(diào)、冰箱和洗衣機的電源管理電路中,這款MOSFET可以提供穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換和功率控制,幫助提高設(shè)備的能效和可靠性。
通過以上示例,可以看出 VBsemi 7NA40-VB 在多個領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用潛力,為各種高壓、高功率應(yīng)用提供了可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12