--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、82N04DG-VB TO220 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
82N04DG-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,封裝形式為TO220。具有40V的耐壓能力和低導(dǎo)通電阻特性,適合于高效能量轉(zhuǎn)換和電源控制應(yīng)用。
### 二、82N04DG-VB TO220 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **耐壓(VDS)**:40V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **門限電壓(Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:7mΩ @ VGS = 4.5V, 6mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**:110A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、82N04DG-VB TO220 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
82N04DG-VB TO220 可以在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中廣泛應(yīng)用,以下是幾個(gè)典型的示例:
1. **電源模塊**:
在各種類型的電源模塊中,如桌面電源、服務(wù)器電源以及工業(yè)控制設(shè)備的電源模塊,82N04DG-VB 提供了穩(wěn)定的電源控制和高效的能量轉(zhuǎn)換,確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。
2. **電動(dòng)工具**:
在需要高功率輸出和高效能轉(zhuǎn)換的電動(dòng)工具中,如電動(dòng)鉆、電動(dòng)錘等,82N04DG-VB TO220 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻特性可以提供穩(wěn)定的動(dòng)力輸出和長(zhǎng)壽命。
3. **電動(dòng)車輛充電器**:
作為電動(dòng)車輛充電器的主要功率開關(guān)器件,82N04DG-VB TO220 可以在電動(dòng)車輛充電系統(tǒng)中提供高效的能量轉(zhuǎn)換和可靠的功率控制,支持快速充電和長(zhǎng)周期的使用。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,82N04DG-VB TO220 可以作為工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和變頻器的關(guān)鍵組件,實(shí)現(xiàn)精確的電機(jī)控制和高效的能量轉(zhuǎn)換,提高生產(chǎn)效率和設(shè)備可靠性。
82N04DG-VB TO220 是一款性能優(yōu)越的單N溝道MOSFET,適用于多種高功率和高效能量轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備和系統(tǒng)。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛