--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 85T03-VB 產(chǎn)品簡介
85T03-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET,采用槽溝技術(shù)制造,具有優(yōu)良的功率性能和高效的電氣特性。該器件適用于需要高電流承載和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場合。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和高漏極電流(ID),適合于各種功率管理和開關(guān)電路設(shè)計(jì)。
### 2. 85T03-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào):** 85T03-VB
- **封裝:** TO220
- **配置:** 單通道 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V(最大)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):**
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 120A
- **技術(shù):** 槽溝技術(shù)

### 3. 應(yīng)用舉例
#### 在哪些領(lǐng)域和模塊上適用?
85T03-VB 可以廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:
- **電源管理:** 由于其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流特性,85T03-VB 在開關(guān)電源和電源管理模塊中非常適用。它能夠有效地降低開關(guān)損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。
- **電動(dòng)工具:** 在電動(dòng)工具的電源控制模塊中,85T03-VB 能夠提供穩(wěn)定的電流輸出和高效的功率轉(zhuǎn)換,支持電動(dòng)機(jī)的高性能運(yùn)行。
- **電動(dòng)汽車充電器:** 作為充電器電路中的關(guān)鍵部件,85T03-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其成為電動(dòng)汽車充電器中的理想選擇,確保高效率和可靠性。
- **工業(yè)控制系統(tǒng):** 在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,85T03-VB 可用于開關(guān)電源單元、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器,支持高功率的控制和調(diào)節(jié)需求。
- **LED 照明驅(qū)動(dòng):** 由于LED照明需要穩(wěn)定的電流和高效的電源管理,85T03-VB 可以作為LED驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān)元件,提供可靠的驅(qū)動(dòng)能力和節(jié)能效果。
總結(jié)而言,85T03-VB 是一款多功能的功率 MOSFET,適用于需要高性能和高可靠性的各種功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛