--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO3P
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**88N30W-VB**是一款單N溝道MOSFET,采用TO3P封裝,設(shè)計用于高壓應(yīng)用場合。該器件具有較高的漏極-源極電壓(VDS),適合需要處理高電壓和大電流的應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: 88N30W-VB
- **封裝**: TO3P
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 60mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 47A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源開關(guān)**
88N30W-VB適用于工業(yè)和電力電子中的開關(guān)電源系統(tǒng),包括UPS系統(tǒng)(不間斷電源)和電動車充電器。其高漏極-源極電壓和大電流承載能力使其能夠處理高功率輸出和高壓環(huán)境下的工作需求。
2. **電動汽車充電器**
在電動車充電器中,88N30W-VB可作為電源開關(guān)元件,支持高效能和快速充電功能。其低導(dǎo)通電阻和大電流能力有助于減少能量損耗并提升充電效率。
3. **工業(yè)自動化**
在工業(yè)自動化設(shè)備中,如大型機械、機器人和自動化控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于高壓電源開關(guān)和驅(qū)動電機的電源管理任務(wù),確保設(shè)備穩(wěn)定運行并提高系統(tǒng)效率。
4. **電力輸配**
在電力輸配系統(tǒng)中,88N30W-VB可用于開關(guān)電源和變流器,支持電網(wǎng)穩(wěn)定性和能量傳輸效率,適用于需要處理高電壓和大電流的電力應(yīng)用場合。
通過以上示例,88N30W-VB展示了在各種需要高電壓和大電流處理能力的應(yīng)用中的適用性,為工程師提供了穩(wěn)定可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12