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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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8N40L-TA3-T-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 8N40L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 8N40L-TA3-T-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

8N40L-TA3-T-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 Plannar 技術(shù)制造,封裝為 TO220。該器件具有高達(dá)500V 的漏源電壓 (VDS) 能力,適合于中高壓電路設(shè)計(jì)。它的柵源電壓 (VGS) 為 ±30V,閾值電壓 (Vth) 約為 3.1V。在 VGS=10V 時(shí),導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為660mΩ,漏極電流 (ID) 最大可達(dá)13A。這些特性使得該器件在需要處理較高電壓和適度電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 8N40L-TA3-T-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝形式**:TO220
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:500V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.1V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 660mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:13A
- **技術(shù)**:Plannar

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 電源逆變器和電源因數(shù)校正器
8N40L-TA3-T-VB TO220 MOSFET 在電源逆變器和電源因數(shù)校正器中廣泛應(yīng)用。例如,在太陽能逆變器中,它可以用于將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能,以供應(yīng)給家庭或商業(yè)用途。

#### 工業(yè)電力控制系統(tǒng)
該器件適用于工業(yè)電力控制系統(tǒng)中需要處理中等電壓和電流的場(chǎng)合。例如,可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電源管理單元中,確保電力系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行和能效優(yōu)化。

#### 汽車電子系統(tǒng)
在汽車電子系統(tǒng)中,8N40L-TA3-T-VB 可以用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電樁和動(dòng)力管理系統(tǒng)中,幫助提高能源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)性能。

這些例子顯示了該型號(hào) MOSFET 的多功能性和適應(yīng)性,適用于多種領(lǐng)域和模塊,從而滿足不同的工程需求和設(shè)計(jì)要求。

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