--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**8N80L-TF3-T-VB**是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,適用于需要高電壓承載能力的應(yīng)用。該器件具有較高的漏極-源極電壓(VDS)和適中的電流處理能力,適合工業(yè)和電力電子應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 8N80L-TF3-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 770mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **工業(yè)電力供應(yīng)**
8N80L-TF3-T-VB適用于工業(yè)電力供應(yīng)系統(tǒng)中的開關(guān)電源單元和電力逆變器。其高漏極-源極電壓和適中的電流特性使其能夠處理工業(yè)電子設(shè)備中的高壓轉(zhuǎn)換和功率調(diào)節(jié)任務(wù)。
2. **電動車充電設(shè)備**
在電動車充電設(shè)備中,特別是需要高電壓穩(wěn)定性和可靠性的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器和直流-交流(DC-AC)逆變器中,8N80L-TF3-T-VB可以提供有效的功率轉(zhuǎn)換和電能管理。
3. **電力分布和電網(wǎng)應(yīng)用**
在電力分布和電網(wǎng)應(yīng)用中,需要能夠處理高電壓的開關(guān)和調(diào)節(jié)裝置。該型號可用于電力系統(tǒng)的開關(guān)裝置和電源管理單元,確保電能的高效傳輸和安全管理。
4. **工業(yè)自動化**
在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,該型號可以用于控制和管理高壓設(shè)備和電機(jī)驅(qū)動器,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
通過以上示例,可以看出8N80L-TF3-T-VB在處理高壓、中電流應(yīng)用中的廣泛適用性,為工程師提供了可靠的功率開關(guān)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它