--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
8NM50N-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO251封裝,具有高耐壓特性和穩(wěn)定的電氣性能,適用于各種中高壓應(yīng)用場(chǎng)合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: 8NM50N-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 700mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI(多重外延埋置溝道技術(shù))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
8NM50N-VB適用于多種中高壓電路和功率控制應(yīng)用,包括但不限于:
1. **電源開關(guān)**
- 在開關(guān)電源電路中,作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出,用于計(jì)算機(jī)設(shè)備、通信設(shè)備等。
2. **LED驅(qū)動(dòng)器**
- 在LED照明系統(tǒng)中,作為LED驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)元件,控制LED的亮度和電流,提高照明系統(tǒng)的能效和可靠性。
3. **工業(yè)控制**
- 在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電力開關(guān),支持工廠設(shè)備的精確控制和高效運(yùn)行。
4. **電動(dòng)工具**
- 在電動(dòng)工具的電源管理系統(tǒng)中,作為電池充放電控制器的關(guān)鍵部件,支持電動(dòng)工具的高效能量轉(zhuǎn)換和長時(shí)間使用。
5. **太陽能逆變器**
- 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,作為逆變器的重要組成部分,實(shí)現(xiàn)太陽能電能的高效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電力輸出。
8NM50N-VB以其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的性能,適用于要求高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換的各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛