--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、90N15F4-VB 產(chǎn)品簡介
90N15F4-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,適用于中功率電子設(shè)備和系統(tǒng)。它具有150V的漏源極電壓承受能力和優(yōu)異的導(dǎo)通特性,適合需要高效能和可靠性能的應(yīng)用場合。
### 二、90N15F4-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型 (Package)**: TO220
- **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 150V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 8.5mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù) (Technology)**: Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例
90N15F4-VB MOSFET 適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電動(dòng)車電源管理**:作為電動(dòng)車輛電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,用于高效能和可靠的電流控制,支持電動(dòng)車輛的動(dòng)力輸出和長途駕駛。
2. **電源轉(zhuǎn)換器和逆變器**:在各種類型的電源轉(zhuǎn)換和逆變系統(tǒng)中,提供高效率的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出,適用于工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的電源管理。
3. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**:用作工業(yè)機(jī)械和自動(dòng)化設(shè)備中的功率開關(guān)元件,確保設(shè)備在復(fù)雜工業(yè)環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能表現(xiàn)。
4. **服務(wù)器和計(jì)算設(shè)備**:用于服務(wù)器和計(jì)算設(shè)備中的電源管理模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和功率分配,支持?jǐn)?shù)據(jù)中心的運(yùn)行和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。
5. **太陽能電池逆變器**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,用作逆變器的關(guān)鍵部件,支持太陽能電能的高效轉(zhuǎn)換和接入電網(wǎng)或電池儲(chǔ)能系統(tǒng)。
綜上所述,90N15F4-VB 是一款適用于中功率需求的單 N 溝道 MOSFET,特別適合需要高電壓和高效率功率管理的各種工業(yè)和電子應(yīng)用場合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛