--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO262
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、90N4F3-VB型號的產(chǎn)品簡介詳細(xì)
90N4F3-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,封裝為TO262。它具有優(yōu)良的電性能特征,適合在需要高電流和低導(dǎo)通電阻的電路中使用。該器件的主要特點(diǎn)包括高電流承受能力和低開啟電阻,使其成為各種高性能電源管理和功率控制應(yīng)用的理想選擇。
### 二、90N4F3-VB型號的詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO262
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:40V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±V)
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例
90N4F3-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
在電源管理系統(tǒng)中,用于高效的電能轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié),如電動工具、家用電器和汽車電子。
2. **電動車輛**:
作為電動車輛的電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)元件,支持高功率充電和驅(qū)動控制。
3. **工業(yè)自動化**:
在工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)中,用于高速開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動,以提高生產(chǎn)效率和系統(tǒng)可靠性。
4. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源管理**:
在大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心中,用于電源開關(guān)和功率分配,確保系統(tǒng)穩(wěn)定性和效率。
90N4F3-VB因其高電流承受能力、低導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的性能,在要求高性能和高可靠性的電源管理和功率控制應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它