--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 90T03S-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
90T03S-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 Trench 技術(shù)制造,封裝為 TO263。它具有30V 的漏源電壓 (VDS) 能力,適合于低電壓應(yīng)用的電路設(shè)計。該器件的柵源電壓 (VGS) 為 ±20V,閾值電壓 (Vth) 約為 1.7V。在 VGS=4.5V 和 VGS=10V 時,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 分別為 2.7mΩ 和 2.4mΩ,漏極電流 (ID) 最大可達(dá)98A。這些特性使得該器件在需要低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力的場合具有優(yōu)異的性能。
### 90T03S-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO263
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2.7mΩ @ VGS=4.5V
- 2.4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:98A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例
#### 電源管理和電動工具
90T03S-VB 在電源管理系統(tǒng)和電動工具的設(shè)計中具有廣泛應(yīng)用。例如,它可以用作低壓 DC-DC 變換器和電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)元件,確保高效的能源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電力輸出。
#### 電動車輛和充電設(shè)備
在電動車輛的電機驅(qū)動系統(tǒng)和充電設(shè)備中,90T03S-VB 可以承受高功率負(fù)載和頻繁的開關(guān)操作。它適用于電動汽車的電機控制、充電樁的功率開關(guān)以及電池管理系統(tǒng),確保系統(tǒng)的高效運行和長期可靠性。
#### 工業(yè)自動化和電力電子
90T03S-VB 在工業(yè)自動化和電力電子設(shè)備中也有重要應(yīng)用。它可以用于工業(yè)驅(qū)動器、機器人控制系統(tǒng)和各種電力工具的功率開關(guān),提供精確的電力控制和高效的能源利用率。
以上例子展示了 90T03S-VB MOSFET 在多種領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,表明其在低壓、高電流環(huán)境下的優(yōu)越性能和適用性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12