--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT669
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
91510E-VB 是一款單通道N溝道功率MOSFET,采用SOT669封裝,具備100V的漏源電壓和69A的連續(xù)漏極電流能力。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)特性,適用于各種高效能和高功率密度的應(yīng)用。
### 產(chǎn)品參數(shù)
- **型號**:91510E-VB
- **封裝**:SOT669
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:100V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.4V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 13.92mΩ @ VGS = 4.5V
- 11.6mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:69A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
91510E-VB MOSFET 適用于多種高效能和高功率密度的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊。以下是一些具體的應(yīng)用示例:
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- 在服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理系統(tǒng)中,91510E-VB MOSFET 可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源(SMPS),提供高效的功率轉(zhuǎn)換和管理。
2. **汽車電子**:
- 該MOSFET適用于電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊、車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等,能夠提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
3. **工業(yè)控制**:
- 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,91510E-VB MOSFET可用于電機(jī)控制、逆變器和伺服驅(qū)動(dòng)器,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和精確的控制。
4. **可再生能源**:
- 適用于太陽能和風(fēng)能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的逆變器和MPPT(最大功率點(diǎn)追蹤)控制器,能夠高效地管理和轉(zhuǎn)換電能。
5. **消費(fèi)電子**:
- 在筆記本電腦、平板電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品中,91510E-VB MOSFET可用于電源管理模塊,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和管理,延長電池壽命。
綜上所述,91510E-VB MOSFET 憑借其優(yōu)異的電氣性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,滿足各種高效能和高功率密度應(yīng)用的需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛