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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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91560E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 91560E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT669
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 915310E-VB MOSFET

#### 一、產(chǎn)品簡介

915310E-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET,采用 SOT669 封裝。該器件具有 100V 的漏源電壓(VDS),最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,和典型的閾值電壓(Vth)為 1.4V。915310E-VB 采用了先進的溝槽技術,具有極低的導通電阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 13.92mΩ,在 VGS=10V 時為 11.6mΩ。這使得它能夠在高電流應用中提供高效能,最大連續(xù)漏極電流(ID)為 69A。

#### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOT669
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.4V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 時:13.92mΩ
 - VGS=10V 時:11.6mΩ
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**:69A
- **技術類型**:溝槽技術

#### 三、適用領域和模塊舉例

915310E-VB 的高電流處理能力和低導通電阻使其非常適用于高效電源管理和功率轉(zhuǎn)換應用。具體來說:

- **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)**:該 MOSFET 可以用于電動汽車和混合動力汽車中的電機驅(qū)動模塊,以提高電機的效率和減少功率損耗。
- **太陽能逆變器**:在太陽能光伏系統(tǒng)中,915310E-VB 可用于逆變器模塊,以提高電能轉(zhuǎn)換效率并降低熱損失。
- **工業(yè)電源**:該 MOSFET 適用于工業(yè)電源模塊,包括不間斷電源(UPS)系統(tǒng)和高效開關電源(SMPS),提供高效的電力管理和轉(zhuǎn)換。
- **服務器電源**:在數(shù)據(jù)中心和服務器電源管理中,915310E-VB 可用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提高整體系統(tǒng)的能效并降低熱量產(chǎn)生。

### 91560E-VB MOSFET

#### 一、產(chǎn)品簡介

91560E-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET,采用 SOT669 封裝。該器件具有 60V 的漏源電壓(VDS),最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)在 1~3V 之間。91560E-VB 采用了先進的溝槽技術,具有極低的導通電阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 時為 7.8mΩ,在 VGS=10V 時為 6.2mΩ。這使得它能夠在中高電流應用中提供高效能,最大連續(xù)漏極電流(ID)為 64A。

#### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOT669
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1~3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 時:7.8mΩ
 - VGS=10V 時:6.2mΩ
- **最大連續(xù)漏極電流(ID)**:64A
- **技術類型**:溝槽技術

#### 三、適用領域和模塊舉例

91560E-VB 的特性使其適用于中高電流的電源管理和功率轉(zhuǎn)換應用。具體領域包括:

- **消費電子設備**:該 MOSFET 可用于消費電子設備中的電源管理,如筆記本電腦、智能手機和平板電腦,提高設備的電源效率。
- **電動工具**:在電動工具的電源模塊中,91560E-VB 能夠提供高效的電流管理和低損耗,延長電池壽命和提高工具性能。
- **家電**:該 MOSFET 適用于家電中的電源轉(zhuǎn)換模塊,如空調(diào)、洗衣機和冰箱,提升能效并降低能耗。
- **通信設備**:在通信基站和網(wǎng)絡設備中,91560E-VB 可用于電源模塊,確保設備的穩(wěn)定運行和高效能。

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