--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、92T03GS-VB 型號(hào)的產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi 92T03GS-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適合用于需要高效能電源管理和電機(jī)控制的應(yīng)用。其TO263封裝適合中功率應(yīng)用,能夠在不同的電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的電路布局和散熱設(shè)計(jì)。
### 二、92T03GS-VB 型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| 參數(shù)名稱(chēng) | 參數(shù)值 |
|----------------|--------------------|
| 封裝 | TO263 |
| 配置 | 單N溝道 |
| VDS | 30V |
| VGS | ±20V |
| Vth | 1.7V |
| RDS(ON)@VGS=4.5V | 2.7mΩ |
| RDS(ON)@VGS=10V | 2.4mΩ |
| ID | 98A |
| 技術(shù) | 溝槽(Trench) |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**電源管理:**
92T03GS-VB 可以廣泛應(yīng)用于高效率的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠降低功率損耗,提高系統(tǒng)能效,并支持較高電流輸出的需求。
**電機(jī)驅(qū)動(dòng):**
該MOSFET適用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,包括無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)工具和自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)控制。通過(guò)優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì),能夠確保在高負(fù)載和高頻率操作下的穩(wěn)定性和可靠性。
**汽車(chē)電子:**
在汽車(chē)電子領(lǐng)域,92T03GS-VB 可用于車(chē)載電源管理、動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)和車(chē)身電子模塊。其耐高壓和高電流特性使其能夠應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子系統(tǒng)中的嚴(yán)苛環(huán)境和高功率需求。
**工業(yè)控制:**
在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,該型號(hào)MOSFET可以用于電源逆變器、伺服驅(qū)動(dòng)和電機(jī)控制器。其高效能特性和可靠性保證了工業(yè)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和長(zhǎng)期耐用性。
通過(guò)這些應(yīng)用領(lǐng)域的例子,可以看出92T03GS-VB 在多個(gè)領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,幫助提升系統(tǒng)的性能和效率,滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能電源管理和電機(jī)控制的要求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛