--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、9576GH-VB 型號(hào)的產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi 9576GH-VB 是一款單P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造。該MOSFET具有負(fù)60V的漏極-源極電壓耐受能力,適合用于負(fù)電壓電源管理和開關(guān)控制應(yīng)用。其TO252封裝設(shè)計(jì)提供了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性,適用于高功率密度應(yīng)用。
### 二、9576GH-VB 型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù)名稱 | 參數(shù)值 |
|----------------|---------------------------|
| 封裝 | TO252 |
| 配置 | 單P溝道 |
| VDS | -60V |
| VGS | ±20V |
| Vth | -1.7V |
| RDS(ON)@VGS=4.5V | 72mΩ |
| RDS(ON)@VGS=10V | 61mΩ |
| ID | -30A |
| 技術(shù) | 溝槽(Trench) |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**負(fù)電壓電源管理:**
9576GH-VB 非常適用于需要負(fù)電壓管理的應(yīng)用,如負(fù)電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)電壓電源開關(guān)。其負(fù)60V的漏極-源極電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻確保了負(fù)電壓電源的高效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。
**電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛:**
在電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,9576GH-VB 可用作負(fù)電壓電機(jī)控制器,提供精確的電機(jī)控制和高效輸出。其高電流承載能力和優(yōu)異的熱管理特性確保了電動(dòng)設(shè)備的性能和可靠性。
**工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:**
在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的負(fù)電壓電源管理和控制系統(tǒng)中,9576GH-VB 可作為電源開關(guān)和保護(hù)電路的關(guān)鍵部件,確保設(shè)備在負(fù)電壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行和高效使用。
**消費(fèi)電子產(chǎn)品:**
由于其緊湊的TO252封裝和負(fù)電壓電源管理能力,9576GH-VB 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中也有廣泛的應(yīng)用,如便攜式電子設(shè)備、智能家居產(chǎn)品和電動(dòng)玩具中的電源管理和電池保護(hù)。
綜上所述,9576GH-VB 由于其負(fù)電壓電源管理能力和高電流承載能力,在負(fù)電壓電源管理、電動(dòng)工具控制、工業(yè)自動(dòng)化和消費(fèi)電子產(chǎn)品等多個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用潛力,能夠?yàn)楦鞣N電子設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的負(fù)電壓電力管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛