91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

9578GS-VB一款Single-P溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 9578GS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 9578GS-VB MOSFET

#### 一、產(chǎn)品簡介
9578GS-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造。其封裝為TO263,具有優(yōu)良的散熱性能和較高的功率密度,適合在各種功率控制和開關(guān)應(yīng)用中提供穩(wěn)定可靠的性能。

#### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號**: 9578GS-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 77mΩ @ VGS=4.5V
 - 64mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -30A
- **技術(shù)**: Trench

#### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

9578GS-VB MOSFET 由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:在電源開關(guān)、電池保護(hù)電路和電源逆變器中,提供高效的功率控制和電流管理能力。特別適合用于需要高電壓控制的應(yīng)用中,如太陽能逆變器和工業(yè)UPS系統(tǒng)。

2. **電動(dòng)工具**:作為電動(dòng)工具中的電源開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,如電動(dòng)錘、電動(dòng)剪等,確保高效的能量傳輸和可靠的操作,尤其適用于需要快速開關(guān)和高電流負(fù)載的應(yīng)用場景。

3. **汽車電子**:適用于車輛電子系統(tǒng)中的電池管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和燈光控制,能夠處理負(fù)載電流并支持車輛動(dòng)力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。其高電壓能力使其在混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車中具有廣泛的應(yīng)用前景。

4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、機(jī)器人控制和各種高功率開關(guān)電路中,提供精確的電流控制和快速的開關(guān)特性。特別適用于需要高可靠性和高效能的工業(yè)設(shè)備中,如工業(yè)電源和重型機(jī)械控制。

9578GS-VB 結(jié)合了Trench技術(shù)的優(yōu)勢和高性能的設(shè)計(jì)特性,使其成為需要中高功率和可靠性的電子設(shè)備和系統(tǒng)中的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    548瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量