--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
966E-VB 是一款雙通道N溝道功率MOSFET,采用TSSOP8封裝,具備20V的漏源電壓和6.6A的連續(xù)漏極電流能力。該器件配置為共源極結(jié)構(gòu),適用于需要高效能和緊湊封裝的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
### 產(chǎn)品參數(shù)
- **型號**:966E-VB
- **封裝**:TSSOP8
- **配置**:共源極N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**:6.6A
- **技術(shù)**:Trench(溝槽)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
966E-VB MOSFET 可以在以下多個領(lǐng)域和模塊中得到應(yīng)用:
1. **電源管理**:
- 適用于便攜式電子設(shè)備、筆記本電腦和平板電腦等需要緊湊封裝和高效能的電源管理模塊。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
- 在小型DC-DC轉(zhuǎn)換器中,用作低壓降和高效率的功率開關(guān),支持便攜式電子設(shè)備和消費電子產(chǎn)品的長續(xù)航時間。
3. **電動工具**:
- 作為電動工具中電池管理和電機控制的關(guān)鍵部件,確保高效的電能轉(zhuǎn)換和長時間的使用壽命。
4. **馬達(dá)控制**:
- 在家用電器和工業(yè)自動化設(shè)備中,用于馬達(dá)控制和速度調(diào)節(jié),提供穩(wěn)定和精確的馬達(dá)運行。
5. **車載電子**:
- 在汽車電子系統(tǒng)中,作為電池管理和功率轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組成部分,支持車載充電器和輔助電源系統(tǒng)的高效能管理。
966E-VB MOSFET 結(jié)合了高導(dǎo)通電阻和緊湊封裝,適合需要在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高功率密度和高效率的應(yīng)用場景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12