--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 1. 產(chǎn)品簡介詳細(xì)
VBsemi MOSFET 96N3LLH6-VB 是一款封裝為TO252的單N溝道型MOSFET。具有以下主要特性:
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 30V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (門槽電壓閾值)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通時漏極-源極電阻)**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench 溝道技術(shù)

### 2. 參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **電壓參數(shù)**:
- 最大漏極-源極電壓 (VDS): 30V
- 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±20V
- **性能參數(shù)**:
- 閾值電壓 (Vth): 1.7V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **電流參數(shù)**:
- 最大漏極電流 (ID): 100A
- **技術(shù)**: Trench 溝道技術(shù)
### 3. 應(yīng)用示例
96N3LLH6-VB MOSFET 可以在多個領(lǐng)域和模塊中得到應(yīng)用:
- **電源管理**: 用于直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converters)、穩(wěn)壓器和電源模塊中,實(shí)現(xiàn)高效能的功率開關(guān)和電流控制。
- **電動工具**: 在高性能電動工具的電源控制模塊中,用于馬達(dá)驅(qū)動和電流管理,提供可靠的功率輸出和長時間運(yùn)行。
- **電動車電池管理**: 在電動車的電池管理系統(tǒng)中,用于電池充放電保護(hù)和高效的能量轉(zhuǎn)換,提高電池壽命和充電效率。
- **工業(yè)自動化**: 在工業(yè)設(shè)備的電源管理和驅(qū)動模塊中,用于高效的功率開關(guān)和穩(wěn)定的電壓輸出,確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定運(yùn)行。
以上示例展示了96N3LLH6-VB MOSFET 在電源管理、電動工具、電動車電池管理和工業(yè)自動化等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它