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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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9918J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 9918J-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì)

VBsemi MOSFET 9918J-VB 是一款單N溝道型MOSFET,采用TO251封裝。具有以下主要特性:

- **VDS (漏極-源極電壓)**: 30V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (門(mén)槽電壓閾值)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通時(shí)漏極-源極電阻)**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 50A
- **技術(shù)**: Trench 溝道技術(shù)

### 2. 參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO251
- **電壓參數(shù)**:
 - 最大漏極-源極電壓 (VDS): 30V
 - 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±20V
- **性能參數(shù)**:
 - 閾值電壓 (Vth): 1.7V
 - 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):
   - 9mΩ @ VGS=4.5V
   - 7mΩ @ VGS=10V
- **電流參數(shù)**:
 - 最大漏極電流 (ID): 50A
- **技術(shù)**: Trench 溝道技術(shù)

### 3. 應(yīng)用示例

9918J-VB MOSFET 可以廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理**: 在直流電源管理模塊中,用于電源開(kāi)關(guān)和功率轉(zhuǎn)換電路,提供高效的電流控制和低壓降。

- **電動(dòng)工具**: 適用于高功率電動(dòng)工具的電源控制模塊,如電動(dòng)錘子和電動(dòng)剪刀,以驅(qū)動(dòng)高功率馬達(dá)并實(shí)現(xiàn)精確的電流管理。

- **電動(dòng)車(chē)輛**: 在電動(dòng)車(chē)輛的電池管理系統(tǒng)中,用于電池充放電控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng),確保高效的能量轉(zhuǎn)換和增強(qiáng)的駕駛性能。

通過(guò)其高性能特性和可靠的技術(shù),9918J-VB MOSFET 能夠滿(mǎn)足電源管理、電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛等多種應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

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