91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

9920GEO-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 9920GEO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Common Drain-N+N溝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 9920GEO-VB MOSFET

#### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
9920GEO-VB 是一款雙N溝道共漏MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,封裝為TSSOP8。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流容許值,適用于需要高效率和高功率密度的電子應(yīng)用。

#### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 9920GEO-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: 雙N溝道共漏
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 19mΩ @ VGS=4.5V
 - 12mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 8.6A
- **技術(shù)**: Trench

#### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

9920GEO-VB MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

1. **電源管理**: 適用于電源開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和功率逆變器的設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻和高電流容許值使其在高效能電源系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **電池管理**: 作為充電和放電過程中電池保護(hù)和管理電路的關(guān)鍵組件,例如便攜式電子設(shè)備和電動(dòng)工具中的電池管理系統(tǒng)。

3. **汽車電子**: 在汽車電子控制單元(ECU)中,用于發(fā)動(dòng)機(jī)管理、動(dòng)力總成控制和電動(dòng)車輛的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高電流容許和低導(dǎo)通電阻特性使其在汽車電子中具有重要應(yīng)用。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 用于工業(yè)控制設(shè)備、自動(dòng)化系統(tǒng)和機(jī)器人中的電力電子開關(guān)和電流控制器。在需要可靠性和高功率處理能力的工業(yè)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

9920GEO-VB 結(jié)合了先進(jìn)的Trench技術(shù)和優(yōu)異的電性能,為各種需要高功率密度和可靠性的電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了穩(wěn)定和高效的解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    548瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量