91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

9923GEO-VB一款Dual-P+P溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 9923GEO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Dual-P+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 9923GEO-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳細(xì)

9923GEO-VB 是一款雙 P+N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管,采用 Trench 技術(shù)制造。它具有負(fù)20V的漏極-源極電壓(VDS),適用于雙極性操作,并且具有低導(dǎo)通電阻和良好的性能特性。

### 9923GEO-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **包裝(Package):** TSSOP8
- **結(jié)構(gòu)配置(Configuration):** 雙 P+N 溝道(Dual-P+P-Channel)
- **漏極-源極電壓(VDS):** -20V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** -1.2V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 18mΩ @ VGS=4.5V
 - 13mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** -7.5A
- **技術(shù)制程(Technology):** Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

9923GEO-VB 適用于以下領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用:

1. **電源管理:** 在雙極性電源管理電路中,例如筆記本電腦和移動(dòng)設(shè)備的電源管理單元。
  
2. **電動(dòng)工具:** 用于控制電動(dòng)工具中電機(jī)的開關(guān)和驅(qū)動(dòng)電路,以實(shí)現(xiàn)高效能和可靠性。
  
3. **充電保護(hù):** 作為充電器和電池充電管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān),確保充電過程中的安全和效率。
  
4. **汽車電子:** 在汽車電子系統(tǒng)中,例如電動(dòng)車的電動(dòng)機(jī)控制和電池管理系統(tǒng)。

9923GEO-VB 的雙極性設(shè)計(jì)使其在需要同時(shí)處理正負(fù)電壓信號(hào)的電路中非常有用,同時(shí)其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力確保了優(yōu)越的性能表現(xiàn)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    548瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量