--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
9N80L-TA3-T-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220封裝。該器件適用于需要高電壓承受能力和可靠性的電子應(yīng)用。
### 產(chǎn)品參數(shù)
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 800V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1300mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 適用領(lǐng)域和模塊
9N80L-TA3-T-VB MOSFET因其高壓承受能力和適中的導(dǎo)通電阻特性,適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源逆變器**:在工業(yè)和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的電源逆變器中,特別是需要處理高電壓和高功率的場(chǎng)合,該MOSFET能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和高效的電能轉(zhuǎn)換。
2. **電動(dòng)汽車充電樁**:作為電動(dòng)汽車充電樁的開關(guān)元件,能夠處理高電壓輸入和穩(wěn)定的電流輸出,確保充電過程的安全和高效。
3. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**:用于高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng)中,如電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)熱處理設(shè)備等,保證設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能轉(zhuǎn)換。
4. **電力管理系統(tǒng)**:在電力分配和管理系統(tǒng)中,如變頻器、UPS系統(tǒng)等,9N80L-TA3-T-VB能夠承受高壓并提供可靠的電力轉(zhuǎn)換和保護(hù)功能。
5. **太陽能逆變器**:用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器模塊中,該MOSFET能夠處理太陽能板輸出的高電壓和變化頻率,轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的交流電能。
綜上所述,9N80L-TA3-T-VB MOSFET適用于多種需要處理高電壓和高功率的電子應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定可靠的性能并確保系統(tǒng)的安全運(yùn)行。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛