--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT223
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**A2N70K-VB** 是一款由 VBsemi 公司生產(chǎn)的單 N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用 SOT223 封裝。該型號的 MOSFET 具有 650V 的漏源電壓(VDS)和最大 1A 的漏極電流(ID),采用 Plannar 技術(shù),適用于低功率應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:SOT223
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 10000mΩ @ VGS = 4.5V
- 8000mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:1A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
**A2N70K-VB** MOSFET 可以在以下領(lǐng)域和模塊中得到應(yīng)用:
1. **低功率電源管理**:適用于低功率開關(guān)電源、小型逆變器和電源管理單元(PMU),提供可靠的電源開關(guān)和能效優(yōu)化。
2. **消費電子產(chǎn)品**:例如手機充電管理、便攜式電子設(shè)備的電源管理,以及家用電器的低功率開關(guān)電路。
3. **LED照明**:在LED驅(qū)動器和照明電源單元中,作為電源開關(guān)和功率管理器件,支持穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié)和節(jié)能效果。
4. **電動工具和電動車輛**:用于電動工具的小功率電源開關(guān)、電池管理和充電器控制,支持設(shè)備的高效能量轉(zhuǎn)換和長時間使用。
5. **醫(yī)療設(shè)備**:在便攜式醫(yī)療設(shè)備和醫(yī)療傳感器中,作為低功率電源管理器件,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和低能耗。
綜上所述,A2N70K-VB 是一款適用于低功率應(yīng)用的低壓降 MOSFET,具有廣泛的消費電子、工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用潛力。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12