--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AFC6601TS6RG-VB是一款雙N溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,適用于要求高效開關(guān)和能量轉(zhuǎn)換的電路設(shè)計。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**: SOT23-6
- **配置**: 雙N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
AFC6601TS6RG-VB MOSFET適用于多種需要高效開關(guān)和能量轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備和模塊,以下是幾個典型的應(yīng)用示例:
1. **電源管理**:
- 在移動設(shè)備、筆記本電腦和其他便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊中,用于負(fù)載開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換,能夠提供高效的能源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電力輸出。
2. **充電管理**:
- 用于智能手機(jī)和平板電腦的充電管理系統(tǒng),提供快速充電和電池保護(hù)功能,確保設(shè)備的快速、安全充電。
3. **電機(jī)驅(qū)動**:
- 在小型電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中,如無人機(jī)、機(jī)器人和家用電器中的電機(jī)控制,提供高效的電機(jī)驅(qū)動和調(diào)速控制。
4. **LED驅(qū)動**:
- 用于LED照明系統(tǒng)中的LED驅(qū)動電路,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的LED驅(qū)動和亮度控制,適用于各種照明應(yīng)用。
5. **負(fù)載開關(guān)**:
- 在各種電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,能夠提供快速開關(guān)和低功耗的負(fù)載管理,適用于電源控制和功率管理應(yīng)用。
通過以上應(yīng)用示例,可以看出AFC6601TS6RG-VB MOSFET具備適應(yīng)高效開關(guān)和能量轉(zhuǎn)換需求的能力,適用于多種電源管理、充電管理、電機(jī)驅(qū)動和LED驅(qū)動等關(guān)鍵應(yīng)用場景。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12