91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

AFN4228S8RG-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AFN4228S8RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、AFN4228S8RG-VB 產(chǎn)品簡介

AFN4228S8RG-VB是一款雙N溝道功率MOSFET,采用SOP8封裝,適合于中高功率密度應(yīng)用的設(shè)計。該器件利用先進(jìn)的Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高效能特性。其漏源電壓(VDS)為20V,柵源電壓(VGS)為±12V,門限電壓(Vth)在0.5V至1.5V范圍內(nèi)可調(diào)。在柵源電壓為4.5V時,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為12mΩ,而在10V時為9mΩ,最大漏極電流(ID)為10A。這些特性使其適用于需要高效能轉(zhuǎn)換和低壓操作的應(yīng)用場合。

### 二、AFN4228S8RG-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:雙N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:±12V
- **門限電壓(Vth)**:0.5V至1.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS = 4.5V
 - 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 三、AFN4228S8RG-VB 適用領(lǐng)域及模塊舉例

AFN4228S8RG-VB適用于多種領(lǐng)域和模塊,具體包括但不限于:

1. **電源管理**:
  - **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在電池驅(qū)動的便攜設(shè)備中,通過高效的電源轉(zhuǎn)換,延長電池壽命。
  - **電源模塊**:用于工業(yè)控制系統(tǒng)和通信設(shè)備中的電源管理,提供穩(wěn)定的電源輸出。

2. **汽車電子**:
  - **汽車照明系統(tǒng)**:在汽車前照燈和后尾燈的電源控制中,確保燈具高效率和長壽命。
  - **電動汽車充電樁**:作為充電樁電源控制開關(guān),確保電池安全和高效充電。

3. **消費(fèi)電子**:
  - **平板電腦和筆記本電腦**:用于電池管理和功率轉(zhuǎn)換,提高設(shè)備的使用時間和效率。
  - **無線通信設(shè)備**:在基站和路由器的電源管理中,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和熱管理。

AFN4228S8RG-VB因其高效的電特性和適中的電壓范圍,在各種低壓操作和中高功率密度的應(yīng)用中廣泛應(yīng)用,特別是在電源管理、汽車電子和消費(fèi)電子領(lǐng)域有著重要的角色。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    544瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量