--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AFN4228WS8RG-VB是一款采用SOP8封裝的雙N溝道MOSFET。它設(shè)計用于低電壓高電流應(yīng)用,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點,適合于各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 產(chǎn)品參數(shù)
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 雙N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
AFN4228WS8RG-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理**:在低電壓電源管理電路中,如手機、平板電腦等便攜設(shè)備的電池管理和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. **電源開關(guān)**:用于需要高效和高電流承受能力的開關(guān)電源模塊,如服務(wù)器電源模塊和通信基站的電源管理單元。
3. **電動工具**:在需要高性能開關(guān)器件以實現(xiàn)快速開關(guān)和低損耗的電動工具中,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和效率。
4. **LED驅(qū)動器**:用于LED照明驅(qū)動電路中的高效率電源管理,確保LED燈具的長壽命和穩(wěn)定性能。
5. **汽車電子**:適用于汽車電子系統(tǒng)中的電動車輛管理和車載電子設(shè)備,如電動汽車的電池管理和動力控制單元。
6. **工業(yè)自動化**:在工廠自動化設(shè)備和機器人控制系統(tǒng)中,用于高效的電力轉(zhuǎn)換和管理,確保設(shè)備的可靠運行和節(jié)能優(yōu)化。
AFN4228WS8RG-VB MOSFET通過其優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高電流承受能力,為各種現(xiàn)代電子設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用提供了可靠的功率管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12