--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:AFN6820TS6RG-VB**
AFN6820TS6RG-VB 是一款雙N溝道功率MOSFET,采用先進的Trench技術(shù),具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高電流承載能力。其封裝為SOT23-6,適合于空間受限和高密度電路板應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:SOT23-6
- **配置**:雙N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±12V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**:6A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例
**1. 電源管理**
AFN6820TS6RG-VB 在各種電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在便攜式設(shè)備和電池驅(qū)動系統(tǒng)中,其小封裝和低導(dǎo)通電阻能夠提升電池使用時間和充電效率。
**2. 手持設(shè)備**
適合于智能手機、平板電腦等手持設(shè)備的電源管理單元,通過高效的電力轉(zhuǎn)換和低功耗設(shè)計,延長設(shè)備的使用時間并提升性能穩(wěn)定性。
**3. 醫(yī)療設(shè)備**
在醫(yī)療設(shè)備的電源供應(yīng)和控制系統(tǒng)中,AFN6820TS6RG-VB 可以確保電力轉(zhuǎn)換的高效率和穩(wěn)定性,適用于醫(yī)用電子設(shè)備的各種應(yīng)用場景。
**4. 汽車電子**
作為汽車電子控制單元的一部分,該器件能夠支持車輛電池管理、電動驅(qū)動系統(tǒng)和輔助控制單元,提升汽車電子系統(tǒng)的整體性能和能效。
**5. LED驅(qū)動**
用于LED照明系統(tǒng)中的電源管理和電流控制,AFN6820TS6RG-VB 可以實現(xiàn)精準(zhǔn)的電流調(diào)節(jié)和高效的能量轉(zhuǎn)換,提高LED照明的亮度和穩(wěn)定性。
**6. 工業(yè)自動化**
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,該MOSFET可以用于電源開關(guān)和驅(qū)動控制,支持工業(yè)自動化設(shè)備的高效能量轉(zhuǎn)換和可靠運行。
綜上所述,AFN6820TS6RG-VB 由于其優(yōu)異的技術(shù)特性和多功能應(yīng)用能力,適用于多個領(lǐng)域的電源管理、電流控制和功率開關(guān)需求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12