91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

AM1331P-T1-PF-VB一款Single-N溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AM1331P-T1-PF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-3
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、AM1331P-T1-PF-VB 產(chǎn)品簡介

AM1331P-T1-PF-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用SC70-3封裝。該器件適用于低電壓應(yīng)用場合,具有較小的封裝體積和低導(dǎo)通電阻,適合要求高效能耗管理的電子設(shè)備。采用先進的Trench技術(shù)制造,提供穩(wěn)定的性能和可靠性。其特性包括漏源電壓(VDS)為20V,柵源電壓(VGS)為±12V,閾值電壓(Vth)為0.5~1.5V。在不同柵源電壓下,其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為48mΩ @ VGS = 2.5V,40mΩ @ VGS = 4.5V,36mΩ @ VGS = 10V。最大漏極電流(ID)為4A。

### 二、AM1331P-T1-PF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:SC70-3
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:±12V
- **閾值電壓(Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 48mΩ @ VGS = 2.5V
 - 40mΩ @ VGS = 4.5V
 - 36mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:4A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 三、AM1331P-T1-PF-VB 適用領(lǐng)域及模塊舉例

AM1331P-T1-PF-VB適用于多種低電壓應(yīng)用領(lǐng)域和模塊,具體包括但不限于:

1. **便攜式設(shè)備**:
  - **智能手機和平板電腦**:用作電源管理和電池管理中的關(guān)鍵組件,幫助實現(xiàn)高效的電池壽命和性能。
  - **便攜式醫(yī)療設(shè)備**:在便攜式醫(yī)療設(shè)備中,控制電源管理和電路控制,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和長時間使用。

2. **消費類電子**:
  - **電視和音響設(shè)備**:作為電源開關(guān)和電路控制器,確保設(shè)備的高效能耗管理和可靠性。
  - **游戲機和娛樂設(shè)備**:在游戲機和娛樂設(shè)備中,控制和管理電源供應(yīng),提供穩(wěn)定的運行環(huán)境。

3. **工業(yè)自動化**:
  - **傳感器和執(zhí)行器控制**:作為傳感器和執(zhí)行器控制器,管理電源和信號傳輸,提供高效的工業(yè)自動化解決方案。
  - **小型機器人**:在小型機器人系統(tǒng)中,作為電源管理和動作控制器,確保精確的動作執(zhí)行和節(jié)能優(yōu)化。

AM1331P-T1-PF-VB由于其小封裝體積、低導(dǎo)通電阻和適合低電壓操作的特性,在便攜式設(shè)備、消費類電子和工業(yè)自動化等多個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用場景。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    544瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量