--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SC70-3
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AM1340N-T1-PF-VB是一款單N溝道MOSFET,采用SC70-3封裝。它具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)特性,適合于低壓驅(qū)動和高效能電路設(shè)計需求。
### 產(chǎn)品參數(shù)
- **封裝類型**: SC70-3
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS = 2.5V
- 40mΩ @ VGS = 4.5V
- 36mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
AM1340N-T1-PF-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **移動設(shè)備**: 由于其小尺寸和低功耗特性,適用于智能手機(jī)、平板電腦和便攜式電子設(shè)備中的電源管理和功率控制。
2. **電源管理**: 在低壓電源轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器中,作為主開關(guān)或同步開關(guān),用于提供高效的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。
3. **電池驅(qū)動**: 用于便攜式電池驅(qū)動設(shè)備,如手持工具、便攜式醫(yī)療設(shè)備和消費電子產(chǎn)品,幫助延長電池壽命和提升設(shè)備運行效率。
4. **控制電路**: 在自動化控制系統(tǒng)、傳感器接口和電動馬達(dá)控制中,作為信號開關(guān)和電流控制器,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效運行。
5. **汽車電子**: 在車載電子系統(tǒng)中,包括汽車照明、內(nèi)部電子設(shè)備控制和電動車輛充電系統(tǒng),提供高效的電能管理和電流控制功能。
AM1340N-T1-PF-VB因其小巧的封裝和優(yōu)異的性能,在各種需要高效能電路設(shè)計的應(yīng)用場合中廣泛應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12