91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

AM1430N-T1-PF-VB一款Single-N溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AM1430N-T1-PF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-6### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 AM1430N-T1-PF-
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AM1430N-T1-PF-VB是一款單N溝道MOSFET,采用SC70-6封裝,設(shè)計(jì)用于低壓低功率應(yīng)用。其采用Trench技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效能的功率管理特性,適合要求高性能和緊湊封裝的電子設(shè)備。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: SC70-6
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 27mΩ @ VGS=4.5V
 - 23mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 4.5A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

AM1430N-T1-PF-VB適用于多種低壓低功率應(yīng)用場(chǎng)合,以下是幾個(gè)典型的應(yīng)用示例:

1. **移動(dòng)設(shè)備**:
  - 在智能手機(jī)、平板電腦等便攜式設(shè)備中作為電源開關(guān),支持高效的電池管理和節(jié)能功能。

2. **消費(fèi)電子**:
  - 在電視、音響系統(tǒng)等消費(fèi)電子產(chǎn)品中,作為電源管理和信號(hào)控制的關(guān)鍵組件,提供穩(wěn)定的電源輸出。

3. **醫(yī)療設(shè)備**:
  - 在便攜式醫(yī)療設(shè)備和健康監(jiān)測(cè)器材中,作為電池管理和控制電路的關(guān)鍵部件,確保設(shè)備的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **工業(yè)傳感器**:
  - 在各類工業(yè)傳感器和監(jiān)控設(shè)備中,作為電源開關(guān)和控制單元,實(shí)現(xiàn)對(duì)傳感器數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確采集和處理。

5. **車載電子**:
  - 在汽車和其他車輛的電子系統(tǒng)中,作為電動(dòng)機(jī)控制和電池管理系統(tǒng)的一部分,提供高效的電力轉(zhuǎn)換和管理。

AM1430N-T1-PF-VB MOSFET由于其緊湊的封裝和優(yōu)異的性能特點(diǎn),特別適合于需要高性能電源管理和功率控制的小型和便攜式電子設(shè)備。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    544瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量