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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AM3435P-T1-PF-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AM3435P-T1-PF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳述:AM3435P-T1-PF-VB

**型號(hào):** AM3435P-T1-PF-VB  
**封裝:** SOT23-6  
**結(jié)構(gòu):** 單P溝道  
**漏極-源極電壓(VDS):** -30V  
**柵極-源極電壓(VGS):** ±20V  
**閾值電壓(Vth):** -1.7V  
**導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 54mΩ @ VGS=4.5V, 49mΩ @ VGS=10V  
**漏極電流(ID):** -4.8A  
**技術(shù):** Trench(溝槽型)  

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

1. **電氣特性:**
  - **靜態(tài)參數(shù):**
    - 漏極-源極電壓(VDS):-30V
    - 柵極-源極電壓(VGS):±20V
    - 閾值電壓(Vth):-1.7V
    - 漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
      - 54mΩ @ VGS=4.5V
      - 49mΩ @ VGS=10V
    - 最大漏極電流(ID):-4.8A

2. **封裝和配置:**
  - 封裝形式:SOT23-6
  - 結(jié)構(gòu)類型:單P溝道

3. **技術(shù)特性:**
  - 采用溝槽型MOSFET技術(shù)

### 應(yīng)用示例:

AM3435P-T1-PF-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊的示例包括:

- **便攜式電子設(shè)備:** 由于其封裝小巧和低功耗特性,可用于智能手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備的電源管理和電池保護(hù)。
- **低電壓電路:** 適合低電壓電路中的功率開關(guān),如電池供電的設(shè)備和小型電子模塊。
- **信號(hào)開關(guān):** 在信號(hào)處理和控制電路中,用于開關(guān)和調(diào)節(jié)信號(hào)的傳輸和處理。
- **電源逆變器:** 用于電源逆變器中的開關(guān)控制,特別是在低電壓和便攜式電源系統(tǒng)中具有優(yōu)勢。

這些示例展示了AM3435P-T1-PF-VB在需要小尺寸、低功耗和低電壓操作的應(yīng)用中的潛在應(yīng)用價(jià)值。

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