--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、產(chǎn)品簡介
**產(chǎn)品型號:AM3922N-T1-PF-VB**
**封裝類型:SOT23-6**
**配置:雙N+N溝道**
**技術(shù):Trench**
AM3922N-T1-PF-VB 是一款雙N+N溝道功率MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)設(shè)計(jì),旨在提供優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高效的功率管理解決方案。其小型的SOT23-6封裝適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境,能夠同時提供雙通道的電源控制和保護(hù)功能。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **值** |
| --- | --- |
| **型號** | AM3922N-T1-PF-VB |
| **封裝類型** | SOT23-6 |
| **配置** | 雙N+N溝道 |
| **最大漏極-源極電壓 (VDS)** | 20V |
| **最大柵極-源極電壓 (VGS)** | ±12V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 0.5~1.5V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 28mΩ @ VGS=2.5V, 22mΩ @ VGS=4.5V |
| **最大漏極電流 (ID)** | 6A |
| **技術(shù)** | Trench |
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電池管理系統(tǒng)**:AM3922N-T1-PF-VB 可用于便攜式電子設(shè)備和電池驅(qū)動系統(tǒng)中的電源管理和充電保護(hù)功能。
2. **電源轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。
3. **電動工具**:用于電動工具中的電機(jī)驅(qū)動器,提供高效率和快速響應(yīng)的電源控制能力。
**模塊示例:**
1. **汽車電子模塊**:在汽車電子系統(tǒng)中,AM3922N-T1-PF-VB 可用于電動汽車的電池管理、電動泵和風(fēng)扇控制器,確保系統(tǒng)的安全和效率。
2. **LED驅(qū)動模塊**:用于LED照明系統(tǒng)的電源開關(guān)和亮度控制,提供穩(wěn)定的電流輸出和高效能的照明解決方案。
通過以上的產(chǎn)品特性和應(yīng)用示例,AM3922N-T1-PF-VB 展現(xiàn)了其在雙通道功率控制和多種應(yīng)用領(lǐng)域中的廣泛適用性,為現(xiàn)代電子設(shè)備和電力系統(tǒng)提供了強(qiáng)大的性能和靈活的設(shè)計(jì)選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它