91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

AM3962N-T1-PF-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AM3962N-T1-PF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、AM3962N-T1-PF-VB 型號(hào)的產(chǎn)品簡介

AM3962N-T1-PF-VB 是一款雙N+N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造,封裝在緊湊的SOT23-6封裝中。它具有高導(dǎo)通電流能力和良好的電壓控制特性,適用于高性能功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### 二、AM3962N-T1-PF-VB 型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: SOT23-6
- **配置**: 雙N+N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 60mΩ @ VGS=4.5V
 - 48mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 4.2A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### 三、AM3962N-T1-PF-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**:
  - **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:AM3962N-T1-PF-VB 可用作DC-DC轉(zhuǎn)換器的主動(dòng)開關(guān)器件,實(shí)現(xiàn)高效能耗和穩(wěn)定的電壓輸出,適合于便攜式電子設(shè)備和工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用。

2. **電動(dòng)工具**:
  - **電動(dòng)鉆/電動(dòng)螺絲刀**:在電動(dòng)工具中,該MOSFET可以作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器件,通過高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻提供更高的效率和可靠性。

3. **汽車電子**:
  - **車輛電動(dòng)化**:在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力車輛中,AM3962N-T1-PF-VB 可用于電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)機(jī)控制單元,確保高效能耗和長期的電池壽命。

4. **工業(yè)控制**:
  - **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備**:適用于各種傳感器和執(zhí)行器的電源管理和控制,保證工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能耗。

AM3962N-T1-PF-VB 由于其雙N+N溝道結(jié)構(gòu)和高電壓承受能力,特別適用于需要高性能功率開關(guān)和穩(wěn)定電壓控制的各種應(yīng)用場景。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    545瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量