91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

AM4920M8VR-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AM4920M8VR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**AM4920M8VR-VB** 是一款雙 N+N 通道 MOSFET 器件,采用 SOP8 封裝。它以優(yōu)異的電氣特性和先進(jìn)的 Trench 技術(shù)設(shè)計(jì),為各種高性能電源管理和開關(guān)應(yīng)用提供了理想的解決方案。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: AM4920M8VR-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙 N+N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS = 4.5V
 - 10mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 13.5A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**AM4920M8VR-VB** MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:適用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源,可在輕載和重載條件下提供穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:用于直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路,提供低導(dǎo)通電阻和高電流能力,確保電機(jī)系統(tǒng)的效率和響應(yīng)速度。

3. **電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛**:在電動(dòng)工具和電動(dòng)車輛的電動(dòng)控制系統(tǒng)中,AM4920M8VR-VB 可實(shí)現(xiàn)高效能量管理和驅(qū)動(dòng)電流的控制。

4. **電池管理系統(tǒng)**:用于充電和放電管理電路,確保電池安全和充電效率,延長(zhǎng)電池壽命。

5. **高性能電子設(shè)備**:如服務(wù)器電源單元、通信設(shè)備的電源管理模塊,用于提供穩(wěn)定和高效的電力供應(yīng)。

6. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,用于開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)電磁閥和執(zhí)行器,實(shí)現(xiàn)精確的過程控制和能耗優(yōu)化。

通過以上應(yīng)用領(lǐng)域的例子,展示了 AM4920M8VR-VB 在多種電子和工業(yè)應(yīng)用中的適用性和優(yōu)越性能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    544瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    468瀏覽量