--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X2)-B
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AM5931P-T1-PF-VB 產(chǎn)品簡介
AM5931P-T1-PF-VB 是一款單 P 通道 MOSFET,采用 DFN8(3X2)-B 封裝,使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)。它具有低導(dǎo)通電阻和適中的電流能力,適合需要緊湊封裝和高性能的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號:** AM5931P-T1-PF-VB
- **封裝類型:** DFN8(3X2)-B
- **配置:** 單 P 通道
- **最大漏源電壓 (VDS):** -20V
- **最大柵源電壓 (VGS):** ±8V
- **閾值電壓 (Vth):** -0.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
- 100mΩ @ VGS=4.5V
- 83mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID):** -4A
- **技術(shù):** 溝槽型(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
AM5931P-T1-PF-VB 可以廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域和模塊,包括但不限于:
1. **便攜式電子設(shè)備:** 在智能手機(jī)、平板電腦和便攜式電子產(chǎn)品中,AM5931P-T1-PF-VB 由于其緊湊的封裝和高效的功率管理能力,常用于電源管理和電池管理系統(tǒng),確保設(shè)備長時間穩(wěn)定運(yùn)行。
2. **消費(fèi)電子產(chǎn)品:** 在筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)和便攜式音頻設(shè)備中,該 MOSFET 能夠提供快速響應(yīng)和高效的負(fù)載開關(guān)功能,保護(hù)電子設(shè)備免受過載和短路的影響。
3. **電源逆變器:** 適用于小型太陽能逆變器和便攜式電源逆變器,幫助將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能,以供給家庭和移動設(shè)備使用。
4. **醫(yī)療設(shè)備:** 在便攜式醫(yī)療設(shè)備和電子醫(yī)療器械中,AM5931P-T1-PF-VB 可以提供可靠的電源管理和控制,確保醫(yī)療設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性。
通過這些應(yīng)用示例,可以看出 AM5931P-T1-PF-VB 在多種需要緊湊封裝和高性能功率管理的現(xiàn)代電子設(shè)備中的廣泛應(yīng)用,其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為設(shè)計工程師首選的器件之一。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它