--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**AM6920NH-T1-PF-VB** 是一款采用 TSSOP8 封裝的共柵 N+N 通道 MOSFET 器件。它具有低電阻和高電流承載能力,適用于需要高效能和穩(wěn)定性能的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: AM6920NH-T1-PF-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: 共柵 N+N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 2.5V
- 14mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**: 7.6A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**AM6920NH-T1-PF-VB** MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中得到廣泛應(yīng)用:
1. **電源管理模塊**:適用于筆記本電腦、平板電腦和便攜式電子設(shè)備的電源管理單元,提供高效能和低功耗的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。
2. **電池充放電管理**:在移動(dòng)設(shè)備和便攜式電源系統(tǒng)中,用于電池充放電管理和電源切換,提供長(zhǎng)時(shí)間的電池壽命和可靠的電源供應(yīng)。
3. **無線通信設(shè)備**:在基站和無線網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,AM6920NH-T1-PF-VB 可以作為射頻功率放大器和信號(hào)開關(guān),確保設(shè)備的高效能和穩(wěn)定的信號(hào)傳輸。
4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,如車載充電器、動(dòng)力管理模塊和車載電源單元,用于高效能的電池管理和車載電源控制。
5. **工業(yè)自動(dòng)化**:用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電動(dòng)閥門控制、傳感器接口和執(zhí)行器驅(qū)動(dòng),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。
6. **LED 照明控制**:在 LED 照明系統(tǒng)中,用作電流調(diào)節(jié)器和開關(guān)控制,提供精確的亮度調(diào)節(jié)和能源節(jié)約功能。
通過以上示例,展示了 AM6920NH-T1-PF-VB 在多種電子和工業(yè)應(yīng)用中的廣泛適用性和優(yōu)越性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛