--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AM7380N-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造,具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高電流承載能力。它采用緊湊的DFN8(3X3)封裝,適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。該器件能夠在高達(dá)100V的漏極-源極電壓(VDS)下穩(wěn)定工作,適合各種需要高電壓和高性能的電力電子應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: AM7380N-VB
- **封裝類型**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 35.5A
- **技術(shù)類型**: 溝槽

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
AM7380N-VB MOSFET適用于多種高壓和高性能的電力電子應(yīng)用,包括但不限于:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:在開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,AM7380N-VB可用于高壓輸出穩(wěn)定器和電源管理模塊,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電源管理。
2. **電機(jī)驅(qū)動器**:適用于需要高電壓和高電流的電機(jī)驅(qū)動器,如工業(yè)用途的步進(jìn)電機(jī)控制、電動車輛的電機(jī)驅(qū)動等。
3. **電動工具和家用電器**:在電動工具、家用電器和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,AM7380N-VB可用于高功率負(fù)載的開關(guān)和控制,如電動鉆、吸塵器等。
4. **電池管理系統(tǒng)**:用于電動車輛、儲能系統(tǒng)和太陽能逆變器等需要處理高電壓和高電流的電池管理系統(tǒng)中,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和安全性。
以上舉例表明,AM7380N-VB MOSFET因其高壓、高性能和可靠性,適用于多種需要高功率和高效能的電子設(shè)備和系統(tǒng)中,為設(shè)計(jì)者提供了廣泛的應(yīng)用選擇和靈活性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛