--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AM8958M8R-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AM8958M8R-VB 是一款高性能的雙N+P溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì),封裝為SOP8。該型號(hào)結(jié)合了N溝道和P溝道MOSFET的優(yōu)點(diǎn),適合在多種電路設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效的功率開關(guān)和控制。
### AM8958M8R-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**: SOP8
- **配置**: 雙N+P溝道
- **漏源極電壓(VDS)**: ±30V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.6V (N溝道), -1.7V (P溝道)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- N溝道:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 18mΩ @ VGS = 10V
- P溝道:
- 50mΩ @ VGS = 4.5V
- 40mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: ±8A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)

### AM8958M8R-VB 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
AM8958M8R-VB 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用,以下是一些具體的應(yīng)用示例:
1. **電源管理**: 在低壓電源管理單元(PMU)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中,AM8958M8R-VB 可以作為功率開關(guān)和逆變器元件,實(shí)現(xiàn)高效能耗和穩(wěn)定的電流控制,特別是在便攜式設(shè)備和無線通信基礎(chǔ)設(shè)施中。
2. **電動(dòng)工具**: 作為電動(dòng)工具如電動(dòng)扳手和電動(dòng)割草機(jī)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,該型號(hào)能夠提供強(qiáng)大的電流驅(qū)動(dòng)能力和低導(dǎo)通電阻,保證設(shè)備的高效運(yùn)行和長(zhǎng)期可靠性。
3. **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,AM8958M8R-VB 可以用作車身電子控制單元(BCM)、電動(dòng)車(EV)和混合動(dòng)力車(HEV)的電動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的功率開關(guān),以及電池管理系統(tǒng)。
4. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,該型號(hào)可以應(yīng)用于電機(jī)控制、電源開關(guān)和逆變器,確保設(shè)備的高效能耗和穩(wěn)定性。
綜上所述,AM8958M8R-VB 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,特別適合需要同時(shí)控制N溝道和P溝道MOSFET的電路設(shè)計(jì),為各種電子設(shè)備和系統(tǒng)提供高效和可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛