--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AO4850-VB 產(chǎn)品簡介
AO4850-VB是一款高性能的雙通道N+N-Channel MOSFET,采用SOP8封裝。它具有適用于高電壓應(yīng)用的特性,能夠在各種要求嚴(yán)格的電源管理和功率轉(zhuǎn)換場景中發(fā)揮優(yōu)異性能。
### AO4850-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:Dual N+N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**:80V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:62mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:3.5A
- **技術(shù)類型**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
AO4850-VB適用于多種高電壓和高功率要求的應(yīng)用領(lǐng)域,具體包括但不限于以下幾個方面:
1. **電源管理和轉(zhuǎn)換**:在需要高效能和可靠性的DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源模塊和電池管理系統(tǒng)中,AO4850-VB能夠提供穩(wěn)定的電力轉(zhuǎn)換和低能量損耗,確保系統(tǒng)的高效運行。
2. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,該產(chǎn)品可以用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)、電動機控制模塊和電源開關(guān)單元。其能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,提供高效的電力傳輸和保護(hù)功能。
3. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化設(shè)備、電機驅(qū)動和逆變器模塊中,AO4850-VB可以用于控制和管理高功率設(shè)備,確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
4. **通信設(shè)備**:在高頻率和高功率的通信設(shè)備中,如基站和通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,AO4850-VB可以用于功率放大和信號處理模塊,提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)和高效的信號處理能力。
AO4850-VB的設(shè)計和特性使其在需要處理高電壓和大電流的復(fù)雜應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是電源管理和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12