--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
AOB462L-VB 是一款單 N-Channel MOSFET,采用 TO263 封裝。它具有高漏極電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,適合需要高功率和高效能的電子應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
|---------------------|-----------------------------------|
| **封裝** | TO263 |
| **配置** | 單 N-Channel |
| **漏源電壓 (VDS)** | 60V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.7V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**| 12mΩ @ VGS=4.5V;11mΩ @ VGS=10V |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)**| 75A |
| **技術(shù)** | 溝槽技術(shù) |

### 適用領(lǐng)域和模塊示例
AOB462L-VB MOSFET 可以應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:在電源轉(zhuǎn)換器中,AOB462L-VB 可以用作開關(guān)管,支持高效率的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電能輸出,適用于電源逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2. **電動工具**:作為電動工具中的功率開關(guān)器件,AOB462L-VB 提供高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,用于電動工具的驅(qū)動和控制電路。
3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,AOB462L-VB 可以用于電動車輛的電池管理和動力傳輸,以及傳統(tǒng)汽車中的點(diǎn)火系統(tǒng)和電動馬達(dá)控制。
4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,AOB462L-VB 可以應(yīng)用于高功率開關(guān)和電源管理器件,確保設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。
AOB462L-VB 具備的高性能特性使其適用于需要高功率密度和高效能的各種電子設(shè)備和系統(tǒng),是電力電子設(shè)計(jì)中的重要組成部分。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛