91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

AON7502-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AON7502-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

AON7502-VB 是一種采用 DFN8 (3X3) 封裝的單 N 溝道 MOSFET 器件。該型號具有30V的漏源電壓 (VDS) 和±20V 的柵源電壓 (VGS)。其閾值電壓 (Vth) 為 1.7V,具有低導(dǎo)通電阻特點 (5mΩ @ VGS=4.5V 和 3.9mΩ @ VGS=10V),最大連續(xù)漏極電流 (ID) 為 60A。AON7502-VB 采用了先進的溝槽型技術(shù),提供了卓越的導(dǎo)電性和開關(guān)性能,非常適合高效能應(yīng)用。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: DFN8 (3X3)
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS=4.5V
 - 3.9mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: 溝槽型 (Trench)

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

AON7502-VB MOSFET 的高效能和低導(dǎo)通電阻使其在多種領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用。

1. **電源管理模塊**:
  - 在直流-直流轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器中,AON7502-VB 可以用作高效的開關(guān)元件,提供低損耗的電流傳輸,從而提高電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機控制**:
  - 在電動工具和電動汽車的電機控制電路中,AON7502-VB 可用于驅(qū)動電機,憑借其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻,確保電機運轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性和效率。

3. **消費電子**:
  - 在智能手機、筆記本電腦等消費電子設(shè)備中,AON7502-VB 可用于電池管理系統(tǒng),提供高效的充電和放電控制,延長電池壽命。

4. **工業(yè)自動化**:
  - 在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,AON7502-VB 可用于控制各種執(zhí)行器和傳感器,確保系統(tǒng)的高效運行和響應(yīng)速度。

5. **通訊設(shè)備**:
  - 在路由器、交換機等通訊設(shè)備中,AON7502-VB 可用于電源管理和信號傳輸模塊,提供可靠的電源控制和信號放大功能。

AON7502-VB MOSFET 的高性能和多功能特性,使其成為各種現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    542瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    465瀏覽量