--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)-B
- 溝道 Dual-N+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### AON7611-VB 產(chǎn)品簡介
AON7611-VB 是一款由 VBsemi 提供的高效雙極性場效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用 DFN8(3X3)-B 封裝,專為高性能電源管理應(yīng)用設(shè)計。它集成了一個 N 溝道和一個 P 溝道 MOSFET,具有高效能和低導(dǎo)通電阻特點,適用于高密度和高效率需求的應(yīng)用。
### AON7611-VB 參數(shù)說明
- **封裝類型**:DFN8(3X3)-B
- **配置**:雙極性(N+P 通道)
- **漏源電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**:1.6V(N 通道),-1.7V(P 通道)
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 17mΩ(N 通道,VGS = 4.5V)
- 45mΩ(P 通道,VGS = 4.5V)
- 13mΩ(N 通道,VGS = 10V)
- 40mΩ(P 通道,VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**:8A(N 通道),-6A(P 通道)
- **技術(shù)**:溝槽型(Trench)

### 適用領(lǐng)域和模塊
#### 電源管理
AON7611-VB 可用于各種電源管理模塊,如開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。其高效能和低導(dǎo)通電阻使其能夠在這些應(yīng)用中提供高效的電能傳輸和轉(zhuǎn)換,從而減少能量損失和熱量產(chǎn)生。
#### 電動工具
在電動工具中,AON7611-VB 可用于驅(qū)動電機(jī)和控制器。其雙通道配置允許設(shè)計者在一個封裝中實現(xiàn)雙向電流控制,從而簡化電路設(shè)計并提高系統(tǒng)可靠性。
#### 汽車電子
AON7611-VB 也適用于汽車電子領(lǐng)域,如電子控制單元(ECU)、照明系統(tǒng)和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。其寬泛的電壓范圍和高電流處理能力,使其能夠滿足這些系統(tǒng)的高性能要求。
#### 便攜式電子設(shè)備
在便攜式電子設(shè)備如智能手機(jī)、筆記本電腦和平板電腦中,AON7611-VB 可用于電源管理和電池充電電路。其緊湊的 DFN8(3X3)-B 封裝和低功耗特性,使其特別適合于這些需要節(jié)省空間和延長電池壽命的應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12